Магниторезистивный эффект Магниторезистивные датчики фирмы NXP Semiconductors разработаны на основе эффекта изменения ориентации намагниченности М внутренних доменов в слое пермаллоя (NiFe) под воздействием внешнего магнитного поля H. Сопротивление пермаллоя зависит от угла (α) между направлением тока и вектором намагниченности M (рис. 1). ...Читать подробнее...

Компания NXP расширила ассортимент самонастраиваемых решений NFC платами для Arduino™ и выводом на рынок PN7150 – высокопроизводительного контроллера NFC со встроенной прошивкой и интерфейсом NCI. ...Читать подробнее...

Компания NXP Semiconductors начала производства новой линейки автомобильных МОП-транзисторов, заключенных компактный корпус Loss Free PAcKage (LFPAK) с улучшенными тепловыми характеристиками....Читать подробнее...

NXP Semiconductors расширяет свою лучшую в отрасли линейку беспроводных модулей с низким энергопотреблением большой дальности JN5169. Три новых беспроводных модуля: JN5169_M00, JN5169_M05 и JN5169_M06...Читать подробнее...